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10000
Common Emitter
15
Common Emitter
V GE = ± 15V, R G = 5.9 ?
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Eon
Eoff
Eoff
12
9
R L = 6 ?
T C = 25 ℃
V CC = 100 V
300 V
200 V
1000
6
3
100
0
10
20
40
60
80
100
0
30
60
90
120
150
180
Collector Current, I C [A]
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
500
I C MAX. (Pulsed)
Gate Charge, Q g [ nC ]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
100
I C MAX. (Continuous)
100us
50us
100
1 ?
10
1
DC Operation
Single Nonrepetitive
Pulse T C = 25 ℃
Curves must be derated
10
linearly with increase
in temperature
Safe Operating Area
V GE = 20V, T C = 100 ℃
0.1
0.3
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 15. SOA Characteristics
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Pdm
0.01
0.01
t1
t2
1E-3
single pulse
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm ? Zthjc + T C
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
SGL50N60RUFD Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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